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4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

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摘要

采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况.

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来源
《物理学报》 |2002年第1期|148-152|共5页
作者
杨林安; 张义门; 龚仁喜; 张玉明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
4H-SiC,射频,MESFET,直流I-V特性,自热效应;

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