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【24h】

Heavy ions induced latent stuck bits revealed by total dose irradiation in 4T cells SRAMs

机译:在4T单元SRAM中通过总剂量辐照揭示了重离子诱导的潜在粘附位

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摘要

Many stuck bits have been observed in 4T cells SRAMs exposed to heavy ions and total dose irradiations. This phenomenon, attributed to local dose deposition, is modeled accounting charge generation, recombination, transport and trapping in view of being better understood.
机译:在暴露于重离子和总剂量辐照的4T单元SRAM中,已经观察到许多卡住的位。考虑到更好地理解,将这种现象归因于局部剂量沉积,因此对计费产生,重组,运输和捕获进行了建模。

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