机译:将双多晶硅发射极基自对准双极晶体管集成到0.5微米的BiCMOS技术中,以实现快速的4 Mb SRAM
机译:SCC BJT:与高密度深亚微米BiCMOS SRAM技术兼容的高性能双极晶体管
机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:高性能0.6μMBICMOSSRAM技术,具有发射器基础自对准双极晶体管和MOS晶体管的逆行
机译:在标准CMOS技术中实现垂直双极晶体管,用于设计低成本BICMOS集成电路
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:基于O.5µm的BiCMOS技术中硅双极晶体管的制造和电特性。 ud
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造