机译:硅锗BiCMOS技术中硅锗异质结双极晶体管性能下降的表征
机译:将双多晶硅发射极基自对准双极晶体管集成到0.5微米的BiCMOS技术中,以实现快速的4 Mb SRAM
机译:薄膜双极结型绝缘子上硅:工艺制备与表征技术
机译:基于0.5- / spl mu / m的BiCMOS技术制造硅双极晶体管并进行电学表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:基于O.5µm的BiCMOS技术中硅双极晶体管的制造和电特性。 ud