Ion beam synthesis; Nanocrystals; SiC, Silicon; Amorphization; Ballistic effects;
机译:氮注入法合成SiC中的氮化硅埋层
机译:硅上3C-SiC表面层的离子束合成
机译:绝缘体上硅结构的埋入式SiO_2层中离子束合成InSb纳米晶体
机译:控制硅中掩埋SIC层离子束合成的SiC纳米晶体密度分布
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:错误:“硼掺杂和氢钝化对硅纳米晶/ SiC多层光透射载体重组的影响”J。苹果。物理。 114,073101(2013)
机译:通过离子束沉积将外延siC层生长到轴上和轴外6H-siC衬底上。