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利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面原位合成Ti3SiC2界面相的制备方法

摘要

本发明涉及一种利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面原位合成Ti3SiC2界面相的制备方法,先利用化学气相沉积法在SiC纤维表面制备一定厚度的热解碳以改变SiC纤维表面的化学组成;然后将其掩埋于含有Si和Ti元素的熔盐体系中;之后对其进行热处理,利用SiC纤维内部的SiC纳米晶粒与纤维表面的PyC以及熔盐环境中的Si和Ti反应合成出Ti3SiC2界面相。本发明首创采用CVD结合熔盐法,利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面通过原位合成的方式制备Ti3SiC2界面相,所得界面相与SiC纤维和后续基体可以实现较强的结合能力,而且该Ti3SiC2界面相具有与SiC纤维增强陶瓷基复合材料常用PyC和氮化硼界面相不同的增韧机制,相比之下其还具备更好的抗氧化性。

著录项

  • 公开/公告号CN113087533A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN202110351928.4

  • 申请日2021-03-31

  • 分类号C04B35/628(20060101);C04B35/80(20060101);C04B35/565(20060101);

  • 代理机构61204 西北工业大学专利中心;

  • 代理人王鲜凯

  • 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号

  • 入库时间 2023-06-19 11:47:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    授权

    发明专利权授予

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