U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA;
KeyW Corporation, Hanover, MD, USA;
POSTECH, Pohang, Korea;
U.S. Naval Research Lab, Washington, DC, USA;
机译:平面石墨烯边缘的场发射能量分布和三端电流-电压特性
机译:场石墨烯边缘的场发射能量分布和三端电流电压特性
机译:优异的高温场排放行为,具有超低开启场,SiC @ SiO2的可靠电流排放稳定性@ Graphene Nanoarray发射器
机译:平面石墨烯边缘场发射器设计,具有改进的发射电流
机译:提高阿拉斯加 - 现场数据收集和采样设计中永久性受影响的土壤的知识,以支持当前和未来的土壤调查举措
机译:用于平板X射线源应用的大面积铟掺杂ZnO纳米线发射器阵列的高电流场发射
机译:几层石墨烯的自优化效果在原位TEM观察到的现场电子发射期间的顶部边缘结构
机译:随着临界电流的变化,自磁场对平面二极管电子发射的影响。