Johann Wolfgang Goethe-University Frankfurt am Main, Institute of Inorganic and Analytical Chemistry, Max-von-Laue-Str. 7, D-60438 Frankfurt, Germany;
SOITEC, Advanced Technology Devision, Parc technologique des Fontaines, F-38926 Bernin Crolles Cedex Fra;
SiGe; sSOI; peracetic acid; selective etching; photometry; iodometric titration; kinetics; equilibrium;
机译:过乙酸作为混合物中的活性物质,用于选择性刻蚀SiGe / Si层系统-化学和分析学方面
机译:过乙酸作为混合物中的活性物质,用于选择性刻蚀SiGe / Si层系统-化学和分析方面
机译:多层沟道MOSFET的建议:选择性蚀刻在Si / SiGe堆叠层中的应用
机译:过乙酸作为混合物中的活性物质,用于选择性蚀刻SiGe / Si层系统 - 化学和分析的方面
机译:第I部分:Hz166,一种新型的对神经性疼痛有活性的γ-氨基丁酸(A)受体亚型选择性配体。 C-19甲基取代的沙雷帕金吲哚生物碱19(S),20(R),19-(S),20(R)dihydroperaksine-17-al和peraksine第三部分的第一个对映体特异性,立体定向全合成。金属类固醇化学和布朗斯台德酸介导的烯胺酮环化的应用,用于快速有效地获取双吲哚生物碱中马兜铃生物碱的四环(ABCE)骨架
机译:用于制造直径小于20 nm的垂直纳米线阵列的SiGe新型干法选择各向同性原子层蚀刻。
机译:过乙酸作为选择性蚀刻siGe / si层系统的混合物中的活性物质 - 化学和分析方面
机译:siGe / si异质结构上siGe的选择性刻蚀