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用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究

         

摘要

探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的实用化途径 ,并且解决了不同 Ge含量的 Si1-x Gex

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