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欧益宏; 刘道广; 李开成;
信息产业部电子第二十四研究所;
模拟集成电路国家重点实验室;
硅-锗合金; 反应离子刻蚀; 异质结; 双极晶体管;
机译:用于空间应用的SiGe HBT中增强的低剂量率敏感性的偏倚研究
机译:用于双极和BiCMOS应用的SiGe-HBT:从研究到量产
机译:GaInP / GaAs集电极-向上隧穿-集电极异质结双极晶体管(C-up TC-HBT):优化制造工艺和外延层结构以用于高效大功率放大器
机译:用于SiGe HBT和应变Si FET的高通量UHV / CVD SiGe和SiGe:C工艺
机译:Si / SiGe HBT工艺中的超高速数据转换器构建块。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:用于研究局部腐蚀过程的图像分析技术(技术分析图像处理工艺)
机译:带隙和重组工程发射极层,用于SiGe HBT性能优化
机译:用于制造半导体部件的方法,特别是用于在用于形成金属化层的电介质材料中形成沟槽和通孔的蚀刻工艺,包括在腐蚀气氛中腐蚀衬底
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