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李永海; 丁桂甫; 张永华; 曹莹;
上海交通大学,微纳米技术研究院,上海,200030;
电化学腐蚀; 选择性刻蚀; 牺牲层技术; 电位控制;
机译:Ni / Cu纳米电缆和Ni纳米管阵列的可控制模板合成:一步电沉积和电化学刻蚀方法
机译:碘化物对Cu_3Au(111)选择性电化学刻蚀的影响的原位表面敏感X射线衍射研究
机译:用于微加工应用的多孔硅牺牲层的电化学刻蚀
机译:基于CLF3中硅锗高度选择性刻蚀的新型牺牲层技术
机译:明尼苏达州东北部基底Duluth复杂Cu-Ni-PGE矿化中Ni和Cu同位素分馏的研究
机译:某些Co(II)Ni(II)Cu(II)和Zn(II)-共聚物配合物的电化学抗真菌抗菌和DNA裂解研究
机译:DNA切割和CO(II),Ni(II)和Cu(II)复合物的CO(II),Ni(II)和Cu(II)复合物的DNA切割和体外抗菌研究:合成,光谱表征和电化学研究
机译:表面的非均匀性Ni,Co和Cu上的水的量热和吸附研究影响程度或再生或氧化的Ni,Co和Cu表面的因素的研究
机译:基于Cu-Ni-Si的铜合金板,镀薄的Cu-Ni-Si-Si基铜合金板,以及Cu-Ni-Si基铜合金板的制备方法和薄膜镀铜Cu-Ni-Si基 铜合金板
机译:含Ni和Fe的氯化物电位刻蚀液制备Ni-Zn-Cu铁素体母液的方法
机译:Ni-Zn-Cu基铁氧体颗粒,包含Ni-Zn-Cu基铁氧体颗粒和Ni-Zn-Cu基铁氧体烧结陶瓷的生片
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