XEROX Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Road, Palo Alto, CA 94304, USA;
机译:通过激光剥离和从蓝宝石到铜基板的转移增强InGaN发光二极管的性能
机译:通过Pd-In金属键合和激光剥离将GaN薄膜与异种衬底材料集成在一起
机译:使用具有蓝二极管激光器的多光束激光覆层系统纯铜基板上的纯铜层形成
机译:铜基板上的蓝色激光器:晶片粘接和激光剥离铸模对不同基材的InGaN激光二极管
机译:通过晶圆键合和激光剥离将氮化镓薄膜与不同的衬底材料集成在一起。
机译:在硅上生长的基于InGaN的激光二极管的腔镜的晶片上制造
机译:红光发光二极管与激光器IngaN-Delta-Inn量子井Ingan-Delta-Inn量子孔