激光剥离方法和蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构

摘要

本发明提供了一种激光剥离方法和蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构，解决了现有技术中激光剥离蓝宝石衬底的过程中冲击波导致产品良率低的问题。该激光剥离方法包括在蓝宝石衬底上生长牺牲层，该牺牲层包括氮化系半导体层；在牺牲层中注入离子，该离子为还原性离子，受热与氮化系半导体层中的电子结合生成气体；在牺牲层表面生长发光二极管器件外延结构；采用激光穿过蓝宝石衬底对牺牲层进行照射使其分解，以将蓝宝石衬底和发光二极管器件外延结构分离。