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机译:通过Pd-In金属键合和激光剥离将GaN薄膜与异种衬底材料集成在一起
Gallium nitride (GgN); laser lift-off; low-temperature wafer bonding; laser processing; silicon (Si); gallium arsenide (GaAs); polymers;
机译:通过Pd-In金属键合和激光剥离将GaN薄膜与异种衬底材料集成在一起
机译:通过熔合和激光剥离将GaN薄膜与硅衬底集成在一起
机译:通过激光剥离和晶片融合方法将GaN薄膜集成到SiO2-Si(100)衬底上
机译:通过Au-Sn晶圆键合和CMP集成GaN薄膜和异种衬底材料
机译:通过晶圆键合和激光剥离将氮化镓薄膜与不同的衬底材料集成在一起。
机译:GaN离子切片和在CMOS兼容Si(100)衬底上异质集成高质量GaN膜的热力学研究
机译:GaN LED薄膜的激光剥离研究
机译:薄膜金属涂层基板的微波粘合