Research on laser lift-off of GaN LED thin films

摘要

GaN及其化合物是直接带隙半导体材料，它的禁带宽度从1.9eV～6.2eV连续可调，发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱，GaN材料是一种理想的短波长发光材料。它主要用于制作蓝、紫、紫外发光二极管（LED），激光器（LD）、紫外（UV）光电探测器等光电子器件。GaN和Si之间的晶片键合和激光剥离工艺可以很方便的实现不同材料的集成，为GaN基材料的外延生长、器件的工艺制作提供一个新的研究方向。 本文利用键合和激光剥离技术，实现了Φ2英寸GaNLED器件外延薄膜的激光剥离，并且实现蓝宝石衬底的重新利用。通过理论计算优化激光剥离的参数，利用衬底加热的方式实现降低阈值密度快速的激光剥离。目前国内外还没有...