National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center (AIST, PERC), Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba Center, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
depth profile; high-temperature rapid thermal annealing; ion implantation; sheet resistance; surface morphology;
机译:快速热退火对4H-SiC衬底上原子层沉积镧掺杂的二氧化锆薄膜的结构,化学和电学特性的影响
机译:快速热退火退火Si衬底上溅射HfO2薄膜的化学结构和电性能
机译:在单晶,多晶硅和非晶硅衬底上的熔炉和快速热退火LPCVD WSi / sub 2 /膜的结构和电性能
机译:快速热退火4H-SiC的表面性质和电特性
机译:快速热退火欧姆触点与砷化镓的比较电特性。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:快速热退火的SINX的电性能:H / SI结构,其特征在于电容 - 电压和表面光电谱
机译:(111)pt基底上快速热退火锆钛酸铅薄膜的取向