University of Erlangen-Nuernberg, Chair of Electron Devices, Cauerstrasse 6 DE-91058 Erlangen, Germany;
4H-SiC; ion implantation; RTP; sheet resistance; surface roughness;
机译:快速热退火对4H-SiC衬底上原子层沉积镧掺杂的二氧化锆薄膜的结构,化学和电学特性的影响
机译:以电容-电压和表面光电压光谱为特征的快速热退火SiN_x:HlSi结构的电性能
机译:使用快速热退火介电保护层的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的欧姆接触和电性能的纳米级表面形态优化
机译:高温快速热退火技术改善n型注入4H-SiC衬底的电性能
机译:快速热退火欧姆触点与砷化镓的比较电特性。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:快速热退火的SINX的电性能:H / SI结构,其特征在于电容 - 电压和表面光电谱
机译:快速热退火处理的假晶alGaas / InGaas / Gaas调制掺杂结构的光学和电学表征