National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center (PERC), c/o AIST Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
C/Si ratio; homoepitaxial growth; low temperature; microwave plasma chemical vapor deposition (μPVCD);
机译:(001)表面的邻角对高功率微波等离子体化学气相沉积法生长的高质量同质外延金刚石膜硼掺杂特性的影响
机译:总反应压力对三甲基硼微波等离子体化学气相沉积硼掺杂同质外延(100)金刚石薄膜电学性能的影响
机译:氢和氘微波等离子体之间的同位素效应对化学气相沉积同质外延金刚石生长的影响
机译:微波等离子体化学气相沉积法制备同质外延4H-SiC薄膜的深紫外激发拉曼光谱
机译:通过改进的微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石工艺制造的薄膜冷阴极材料的生长,表征和电子场发射测量。
机译:微波等离子体化学气相沉积法在4H-SiC上异质外延金刚石生长
机译:氢和氘微波等离子体之间的同位素效应对化学气相沉积同质外延金刚石生长的影响
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积