Power Electronics Research Center (PERC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), c/o AIST Tsukuba Central 2,1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305 -8568, JAPAN;
4H-SiC; microwave plasma chemical vapor deposition (microwave PCVD); low temperature growth; DUV excitation raman spectroscopy; morphology; crystallinity; SEM;
机译:(001)表面的邻角对高功率微波等离子体化学气相沉积法生长的高质量同质外延金刚石膜硼掺杂特性的影响
机译:微波等离子体增强化学气相沉积(MWPECVD)生长的多晶金刚石薄膜的特性,用于检测紫外线辐射
机译:微波等离子体化学气相沉积和热丝化学气相沉积技术在硅衬底上生长金刚石薄膜的比较研究
机译:通过微波等离子体化学气相沉积种植的同性记4H-SiC膜
机译:通过热壁化学气相沉积法生长的同质外延4H-碳化硅(1120)薄膜的界面上的多型稳定性,微观结构演变和杂质
机译:微波等离子体化学气相沉积法在4H-SiC上异质外延金刚石生长
机译:微波测量CH_4 / H_2 / N_2等离子体增强化学气相沉积过程中氮掺杂金刚石薄膜的椭偏研究
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积