School of Physics and Astronomy Cardiff University Cardiff CF24 3AA U.K.;
University of Basel Basel Suisse;
Department of Electronic and Electrical Engineering University College London London WC1E 7JE UK;
Measurement by laser beam; Quantum dot lasers; Laser modes; Degradation; Silicon; Optical losses; Cavity resonators;
机译:在多晶片MBE生产系统中生长的高功率1.3μmInAs / GaInAs / GaAs QD激光器
机译:GaAs高折射率衬底上生长的InAs量子点和阱内量子点结构的弹性和电子性质的理论分析
机译:不同$ p $掺杂水平的1.3-μmu$ m InAs-GaAs QD激光器模态增益和微分增益的温度依赖性研究
机译:在Si上生长的INAS / GAAS QD激光的降解研究
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:界面键对GaAs(311)B和(100)衬底上生长的InAs QD形态的影响
机译:在不使用应变平衡技术的情况下提高通过MOVPE生长的InAs / GaAs QD阵列的太阳能电池的量子效率