BUCHAREST 'POLITEHNICA' UNIVERSITY, DEPT. OF ELECTRONICS, TURBINEI 8, 71431 BUCHAREST, ROMANIA;
DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING, WIJNROEIERPAD 29, 2163 NE DELFT, THE NETHERLANDS;
机译:研究600 V穿通IGBT中受动态雪崩能力限制的短路故障
机译:SiC双极型器件的设计和技术注意事项:BJT,IGBT和GTO
机译:穿通绝缘栅双极型晶体管(PT-IGBT)的动态雪崩分析
机译:IGBT,双极GTO和MCT中的雪崩动力学研究
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:双相情感障碍的情绪和应对动力学:关于情感自尊和反应方式之间相互关系的纵向调查
机译:门电路对IGBT晶体管动态参数的影响研究控制电路对IGBT晶体管动态参数的影响研究