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机译:穿通绝缘栅双极型晶体管(PT-IGBT)的动态雪崩分析
Departement Energie - SUPELEC, Plateau du Moulon, 3 rue Joliot Curie, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France;
Laboratoire Ampere - INSA de Lyon, oat. L.De Vinci, Avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France;
Laboratoire Ampere - INSA de Lyon, oat. L.De Vinci, Avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France;
Laboratoire Ampere - INSA de Lyon, oat. L.De Vinci, Avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France;
IGBT; dynamic avalanche; finite element simulation; mixed-mode simulation;
机译:具有侧向绝缘栅双极晶体管和浮动p阱电压感测方案的保护电路的新型1200 V穿孔式绝缘栅双极晶体管
机译:在雪崩击穿期间绝缘栅极双极晶体管芯片中电流灯丝动力学的时间和空间分辨观察
机译:硅绝缘栅双极型晶体管关断期间的微动态雪崩现象
机译:高温栅极偏置应力下穿通和非打孔通过绝缘栅双极晶体管的行为
机译:超高压4H-SiC双向绝缘栅双极晶体管。
机译:用于压力包绝缘栅双极晶体管芯片的集成Rogowski线圈传感器
机译:沟槽绝缘栅双极晶体管的分析