シリコンウィスカ単電極モジュールを用いたマウス大脳皮質ニューロン計測

摘要

脳科学研究や脳神経医療において、脳内部の神経活動をrn計測する技術は必要不可欠である。特に、刺入型電極を用rnいた電気的計測法は、局所性の高い信号計測が可能で、脳rn内部に分布する個々の神経細胞の活動を高い時間分解能でrn計測することが可能であることから、非常に重要性の高いrn計測技術として位置付けられている。しかしながら、従来rnの刺入型電極は直径が100 μm 程度の太さを持つため(1)、刺rn入時に脳組織へ与えるダメージが問題となる。我々のグルrnープでは、選択的Vapor-Liquid-Solid （VLS）結晶成長法rnを用いて製造した直径10 μm 以下の非常に細いシリコンウrnィスカ電極を提案してきた(2)。これによって、組織へのダメrnージが大幅に低減できることが示された(3)。しかしながら、rn実装のための接続パッドが電極と同一面に位置するため、rnこれが脳組織に接触することを避けるためにシリコン基板rnが大きくされていた(> 5 × 8 mm2)。これによって、脳にアrnクセスするための開頭面積を大きくとる必要が生じることrnや、アクセス可能な脳部位が制限される問題があった。