LSI/ PSI/USP - University of Sao Paulo, SP, Brazil,Centro Universitario da FEI, SBC, Brazil;
LSI/ PSI/USP - University of Sao Paulo, SP, Brazil;
imec, Leuven, Belgium;
imec, Leuven, Belgium;
imec, Leuven, Belgium;
imec, Leuven, Belgium;
imec, Leuven, Belgium,E.E. Dept., KU Leuven, Leuven, Belgium;
机译:具有横向和垂直隧穿路径的高性能InAs-Si异质结2D-2D隧道FET设计
机译:界面电荷对MG_2SI源异质结双栅极隧道场效应晶体管的模拟和RF性能的影响
机译:III-V基于半导体交错异质结和INAS纳米线(NW)隧道FET的模拟/射频和线性性能模拟和比较研究
机译:(Si)Ge异质结对垂直隧道FET模拟性能的影响
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:具有T形栅极的高性能Si / SiGe异质结隧穿FET的设计
机译:2D过渡金属二甲基化物基于垂直异质结隧道FET的量子力学分析