Furukawa Electric Co., Ltd. 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama, Japan;
Furukawa Electric Co., Ltd. 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama, Japan;
Furukawa Electric Co., Ltd. 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama, Japan;
Tokyo Electron Ltd., Minato-ku, Tokyo, Japan;
Tokyo Electron Ltd., Minato-ku, Tokyo, Japan;
Tokyo Electron Tohoku Ltd., Nirasaki, Yamanashi, Japan;
Tokyo Electron Tohoku Ltd., Nirasaki, Yamanashi, Japan;
Tohoku Univ. 6-6-10 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan;
Tohoku Univ. 6-6-10 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan;
Tohoku Univ. 6-6-10 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan;
机译:绝缘衬底上的常关型GaN MOSFET
机译:基于具有p-GaN缓冲层的AlGaN / GaN异质结构的常关型Al(2)O(3)/ GaN MOSFET的高性能
机译:用于功率应用的SiC和Si衬底上常关p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的高温性能
机译:Si基板上的高性能常关GAN MOSFET
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:具有ALD-Al2O3栅极电介质的全离子注入常关GaN DMOSFET
机译:使用Si IGBT,SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管