IQE RF LLC, Somerset, New Jersey 08873, USA;
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机译:具有超高室温2DEG迁移率的AlGaN / GaN-on-Si HEMT结构的晶圆级MOCVD生长
机译:不同设计的卧式MOCVD反应器中HEMT的GaN / AlN / InAlN异质结构的外延生长
机译:高度均匀的AlGaN / GaN / HEMT结构的改进的热壁MOCVD生长
机译:MOCVD GaN HEMT材料的生长和表征
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:MOCVD GaN HEMT材料的生长和表征