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Gallium nitride and silicon carbide power technologies
Gallium nitride and silicon carbide power technologies
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GaN-on-Si For High-Voltage Applications
机译:
硅上氮化镓用于高压应用
作者:
Domenica Visalli
;
Marleen Van Hove
;
Puneet Srivastava
;
Denis Marcon
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;
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;
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;
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;
Maarten Leys
;
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;
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《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
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2011年
2.
Passive Component Technologies for Advanced Power Conversion Enabled by Wide-Band-Gap Power Devices
机译:
通过宽带隙功率器件实现高级功率转换的无源组件技术
作者:
C. R. Sullivan
;
Di Yao
;
G. E. Gamache
;
A. M. Latham
;
Jizheng Qiu
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
|
2011年
3.
MOCVD Growth and Characterization of GaN HEMT Material
机译:
GaN HEMT材料的MOCVD生长和表征
作者:
Shiping Guo
;
Xiang Gao
;
Daniel Gorka
;
Ming Pan
;
Mark Oliver
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
|
2011年
4.
The Resurgence of Ⅲ-N Materials Development: AIInN HEMTs and GaN-on-Si
机译:
Ⅲ-N材料开发的复兴:AIInN HEMT和GaN-on-Si
作者:
O. Laboutin
;
Y. Cao
;
R. Wang
;
G. Li
;
D. Jena
;
H. Xing
;
C.-F. Lo
;
L. Liu
;
S.J. Pearton
;
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会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
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2011年
5.
Electric-field and thermally-activated failure mechanisms of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电场和热激活失效机理
作者:
Enrico Zanoni
;
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Matteo Meneghini
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;
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Ⅲ-Nitride Heterojunction Field-Effect Transistors and Heterojunction Bipolar Transistors for Next-Generation Power Electronics
机译:
下一代电力电子用Ⅲ型氮化物异质结场效应晶体管和异质结双极晶体管
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8.
SiC Power Devices for Next Generation Energy Efficiency
机译:
SiC功率器件可提高下一代能源效率
作者:
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;
L. Cheng
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;
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;
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会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
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9.
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机译:
SiC功率模块的封装和建模
作者:
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会议名称:
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10.
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机译:
阈值电压不稳定性对SiC功率MOSFET高温可靠性的影响
作者:
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;
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;
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会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
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2011年
11.
Toward the Reduction of Performance-Limiting Defects in SiC Epitaxial Substrates
机译:
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作者:
Noboru Ohtani
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies》
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机译:
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作者:
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机译:
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作者:
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作者:
M. Ostling
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2011年
25.
GaN-HEMTs for High-Voltage Switching Applications
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作者:
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2011年
26.
Reliability-Driven SiC Power Device Development for Army Applications
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可靠性驱动的SiC功率器件在陆军应用中的开发
作者:
C. J. Scozzie
;
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;
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27.
High Power Semiconductor Devices for FACTS: Current State of the Art and Opportunities for Advanced Materials
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作者:
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2011年
28.
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机译:
+600℃至-125℃集成电路工作的耐用SiC JFET技术评估
作者:
P. G. Neudeck
;
M. J. Krasowski
;
N. F. Prokop
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2011年
29.
Perspectives on SiC and Ⅲ-N based Devices for Power Electronics
机译:
基于SiC和Ⅲ-N的电力电子器件的前景
作者:
C.O. Brylinsi
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D. Planson
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2011年
30.
High voltage normally-off transistors and efficient Schottky diodes based on GaN technology
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作者:
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Merits of Buried Grid Technology for Advanced SiC Device Concepts
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作者:
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J-K. Lim
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A. Schoener
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