Institute of Physics, ASCR, Cukrovarnicka 10, 162 00, Prague, Czech Republic;
Institute of Physics, ASCR, Cukrovarnicka 10, 162 00, Prague, Czech Republic;
Institute of Physics, ASCR, Cukrovarnicka 10, 162 00, Prague, Czech Republic;
Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC 27617 USA;
Institute of Physics, ASCR, Cukrovarnicka 10, 162 00, Prague, Czech Republic;
Surface structure; non-polar GaN; semipolar GaN; LEED; photoelectron diffraction; crystal polarity;
机译:从m面到a面的不同表面取向的非极性GaN籽晶上生长的碱性氨热GaN的表面形态研究
机译:极性,半极性和非极性GaN表面的电子带弯曲
机译:非极性(101’0),(112’0)和半极性{202’1} GaN表面的从头算密度函数理论研究
机译:具有极性,非极性和半晶体取向的独立GaN基材的表面分析
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:错误:“极性,半极性和非极性GaN表面的电子带弯曲”J。苹果。物理。 119,105303(2016)
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻