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Erratum: “Electron band bending of polar, semipolar and non-polar GaN surfaces” J. Appl. Phys. 119, 105303 (2016)

机译：错误：“极性，半极性和非极性GaN表面的电子带弯曲”J。苹果。物理。 119,105303（2016）

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I. Bartoš; O. Romanyuk; J. Houdkova; P. P. Paskov; T. Paskova; P. Jiříček;
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年度 2016
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1. Electron band bending of polar, semipolar and non-polar GaN surfaces [J] . I. Bartos, O. Romanyuk, J. Houdkova, Journal of Applied Physics . 2016,第10期

机译：极性，半极性和非极性GaN表面的电子带弯曲
2. Erratum: 'Coupling of electric charge and magnetic field via electronic phase separation in (La,Pr,Ca)MnO_3/Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3 multiferroic heterostructures' [J. Appl. Phys. 119,154507 (2016)] [J] . Zheng Ming, Wang Wei Journal of Applied Physics . 2018,第8期

机译：勘误表：“在（La，Pr，Ca）MnO_3 / Pb（Mg_（1/3）Nb_（2/3）O_3-PbTiO_3多铁性异质结构中通过电子相分离耦合电荷和磁场）[J.应用物理学。119,154507（2016）]
3. Erratum: “Effects of strain relaxation on bare surface barrier height and two-dimensional electron gas in AlxGa1−xN/GaN heterostructures” [J. Appl. Phys. 113, 014505 (2013)] [J] . Goyal Nitin, Fjeldly Tor A. Journal of Applied Physics . 2014,第24期

机译：勘误表：“应变松弛对AlxGa1-xN / GaN异质结构中裸露的表面势垒高度和二维电子气的影响” [J.应用物理113，014505（2013）]
4. Surface analysis of free-standing GaN substrates with polar, non-polar, and semipolar crystal orientations [C] . O. Romanyuk, P. Jiricek, P. Mutombo, Gallium nitride materials and devices VIII . 2013

机译：具有极性，非极性和半极性晶体取向的独立式GaN衬底的表面分析
5. Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy [O] . Ling Sang, Qin Sheng Zhu, Shao Yan Yang, 2014

机译：X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
6. Erratum: “Analysis of plasma-modes of a gated bilayer system in high electron mobility transistors” J. Appl. Phys. 119, 193102 (2016) [O] . Shubhendu Bhardwaj, Siddharth Rajan, John L. Volakis 2016

机译：误斗：“高电子迁移率晶体管中的门控双层系统的等离子体模式”J。苹果。物理。 119,193102（2016）
7. Band Bending and Photoemission-Induced Surface Photovoltages on Clean n- and p-GaN (0001) Surfaces. [R] . Long, J. P., Bermudez, V. M. 2002

机译：在清洁的n和p-GaN（0001）表面上的能带弯曲和光发射诱导的表面光伏。

Erratum: “Electron band bending of polar, semipolar and non-polar GaN surfaces” J. Appl. Phys. 119, 105303 (2016)

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