Si图形衬底的制备及半极性GaN生长

苏军; 李述体; 尹以安; 曹健兴

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利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角为18.45°,表明在Si图形衬底上成功生长出了(1-101)半极性GaN薄膜.其X射线衍射峰半高宽为1 556弧秒.

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来源
《华南师范大学学报：自然科学版》 |2010年第4期|60-63|共4页
作者
苏军; 李述体; 尹以安; 曹健兴;
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作者单位

华南师范大学光电子材料与技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类应用物理学;
关键词
KOH溶液; 各向异性腐蚀; 异丙醇; 超声波振动; 半极性GaN; Si图形衬底;

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