Hamamatsu Photonics K.K.,5000 Hirakuchi, Hamakita-ku, Hamamatsu 434-8601, Japan;
Hamamatsu Photonics K.K.,5000 Hirakuchi, Hamakita-ku, Hamamatsu 434-8601, Japan;
Hamamatsu Photonics K.K.,5000 Hirakuchi, Hamakita-ku, Hamamatsu 434-8601, Japan;
Hamamatsu Photonics K.K.,5000 Hirakuchi, Hamakita-ku, Hamamatsu 434-8601, Japan;
Hamamatsu Photonics K.K.,5000 Hirakuchi, Hamakita-ku, Hamamatsu 434-8601, Japan;
ultraviolet; laser diodes; aigan; quantum efficiency; carrier recombination;
机译:用于垂直型Aigan型深紫外发光二极管的激光剥离中的Ain / aigan短周期超晶格牺牲层
机译:纳米级Ni嵌入式单壁碳纳米管通过化学镀透明电镀375nm Aigan紫外发光二极管的透明导电电极
机译:超薄插入式AIGaN / InAIN异质结可改善基于AIGaN的深紫外发光二极管的性能
机译:基于A1GAN的激光二极管的最新进展为短紫外线区域
机译:MOCVD生长的氮化铝铟的综合材料研究和紫外二极管激光器的松弛模板的开发
机译:在基于设施的基于设施的直接观察到的治疗违约治疗违约治疗短程(Cuerculis)
机译:一氧化二氮二极管激光紫外吸收传感器的开发与应用