准分子激光剥离紫外发光二极管的研究

摘要

激光剥离技术是现阶段获得紫外LED外延片的热门方法，它在获得异质外延片的过程中有其它蚀刻方法所不具备的优势。
　　本文研究了不同激光脉冲对GaN材料的影响，获得了准分子激光在异质外延膜剥离过程中的作用参数。针对紫外发光GaN外延膜提出了不同的剥离方法，以及现在阶段用激光剥离技术生产紫外发光二极管的实际应用，并对剥离前后GaN膜的光学性质进行了分析。
　　获得了准分子激光剥离的最佳条件。通过600mJ/cm2，38ns，10Hz，248nm的KrF准分子激光器得到直径7.5mm的GaN外延膜。研究了剥离后薄膜表面的粗糙度，以及解决粗糙度的方法。