AIGaN太阳盲型紫外探测器

摘要

在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au和Ti/AI／Ni／Au形成，器件的电学性质和光谱响应被研究.研究结果表明，Au与Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，其势垒高度为0.83eV，探测器的响应波长从250nm到290nm，峰值响应率约为0.081A／W。