Mississippi State University, Box 9571, Mississippi State, MS 39762, USA;
simulation; MESFET; deep levels; trapping; semi-insulating substrate; surface states;
机译:衬底补偿对带缓冲层的4H-SiC MESFET直流特性的作用:二维模拟与分析研究相结合
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:用于SiC MESFET的高纯度与高缺陷密度半裸基板:器件特性的仿真
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:本征4H-SiC衬底上基于单壁碳纳米管的苯和硫化氢气体检测仪的仿真
机译:高温霍尔效应传感器,基于外延石墨烯高纯度半径4H-SIC