CNR-IMM, Sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy;
schottky barrier; Ti/4H-SiC; ion irradiation;
机译:钛4H-SiC肖特基势垒二极管势垒高度不均匀性的缺陷分析
机译:钛4H-SiC肖特基势垒二极管势垒高度不均匀性的缺陷分析
机译:表面形貌和陷阱引起的4H-SiC肖特基势垒二极管势垒不均匀性的研究
机译:离子光束在4H-SIC上诱导钛肖特基屏障的改变
机译:肖特基势垒二极管及其作为肖特基势垒电阻的应用
机译:Ni / Pd / n-GaN肖特基势垒二极管的电荷传输结构和光学性质的中能碳和氮离子束诱导修饰
机译:由4H-SiC衬底上的表面极化电荷驱动的具有薄界面间隔物的金属/ 4H-SiC结的肖特基势垒调制