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公开/公告号CN1058291C
专利类型发明授权
公开/公告日2000-11-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院等离子体物理研究所;
申请/专利号CN93103361.6
发明设计人 余增亮;何建军;杨剑波;吴跃进;陈备久;周骏;沈玉琴;孙洪奎;尹载群;
申请日1993-03-26
分类号C12N13/00;C12M1/42;
代理机构34001 中国科学院合肥专利事务所;
代理人周国城
地址 230031 安徽省合肥市1126信箱
入库时间 2022-08-23 08:55:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-05-24
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-11-08
授权
1993-10-20
公开
1993-10-13
实质审查请求的生效
机译: 离子束对细胞的生物组织和团聚体的低能离子束纳米入侵低能作用及其注入和监测功能
机译: 纳米电子技术的低能离子束源
机译: 适用于低能量和高能量离子束的霍尔电流离子源,用于技术应用
机译:离子束生物学难题-为什么低能离子束能量密度会导致细胞突变的数量级大于细胞致死剂量?
机译:离子束生物学拼图 - 为什么低能量离子束注入诱导细胞突变的数量级大于细胞致命剂量?
机译:低能量(〜10 eV / amu)碳离子束对裸露DNA的修饰作用
机译:低能离子束抗静电IC托盘半批量生产装置的研制
机译:用于超导装置的聚焦HE +离子束照射的铁预态和MGB2薄膜的修饰
机译:使用聚焦离子束的3-D纳米技术制造纳米机电装置
机译:接近物理纳米技术(IONNANO)中的离子束修饰=接近物理纳米技术中的离子束修饰
机译:组装低能离子束分析设施和使用核微探针技术进行地质研究