机译:应变Si / Sige异质结构中应变硅层厚度对位错分布和松弛的影响
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:未掺杂的应变Ge / SiGe异质结构中超低密度二维空穴气体的磁输运分析
机译:在SiGe异质结构上的紧张Si中的载体运输和速度过冲
机译:在异质结双极晶体管的应变硅锗纳米层中研究碳分布,以增强硼的含量并改善载流子的传输。
机译:直接带隙GeSn / SiGeSn 2D和0D异质结构中载流子限制的研究
机译:提取大的价带能量偏移并与弛豫siGe衬底上的应变si /应变Ge-II异质结构的理论值比较