Centers for Materials and Photochemical Sciences, Department of Physics and Astronomy, Bowling Green State University, Bowling Green, OH, USA 43403-0224;
thin-film GaAs on Si; pulsed-laser deposition; doping with pulsed-laser deposition; photodiode; x-ray;
机译:1064 nm脉冲激光沉积形成的GaAs / Si光电二极管的整流和本征光电流
机译:低温脉冲激光沉积在p-Si上n-GaAs的物理表征
机译:脉冲激光沉积在n-Si上沉积的p-GaAs的电子性质
机译:通过脉冲激光沉积形成GaAs / Si光电二极管
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:使用硅雪崩光电二极管从InAs / GaAs量子点发射1.3μm的单光子特性
机译:InGaas高速光电二极管,InGaas / Inalas雪崩光电二极管和新型alassb雪崩光电二极管的设计和表征
机译:新型人工层状铜酸盐超导体的脉冲激光沉积形成及性质