TriQuint Semiconductor Texas, 500 Renner Road Richardson, TX 75080;
BAE Systems, Nashua, NH;
II-VI, Incorporated, Pine Brook, NJ;
IQE RF, Somerset, NJ;
MIT, Cambridge, MA;
RPI, Troy, NY;
AlGaN/GaN; GaN; MMIC; DARPA MTO;
机译:关于“在独立式GaN衬底上提高GaN器件的可靠性”的勘误表[8月18日3379-3387]
机译:控制具有改进的栅极介电可靠性的高质量GaN基金属氧化物半导体器件的SiO_2 / GaN堆栈中的Ga氧化物层间生长和Ga扩散
机译:基于块状GaN衬底的垂直GaN器件的可靠性研究
机译:GaN设备的进展性能和可靠性
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:GaInN / GaN MQW RCLED结构的生长优化。设备性能和可靠性
机译:alGaBN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性改进。