机译:基于块状GaN衬底的垂直GaN器件的可靠性研究
Avogy Inc, San Jose, CA 95134 USA;
Avogy Inc, San Jose, CA 95134 USA;
Global Foundries, Santa Clara, CA 95054 USA;
Avogy Inc, San Jose, CA 95134 USA;
Avogy Inc, San Jose, CA 95134 USA;
GaN; Reliability; Power electronics; Bulk GaN substrates; Avalanche breakdown;
机译:在块状GaN衬底上制造的GaN基发光体。新型低位错密度器件
机译:块状GaN衬底上的原位氧化物,基于GaN中间层的垂直沟槽MOSFET(OG-FET)
机译:GaN体衬底上的垂直基于GaN的沟道栅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:块状GaN衬底上的垂直GaN基功率器件,用于未来的功率开关系统
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
机译:低位错密度块状GaN衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面台阶边缘的含义
机译:FY2016体积GaN衬底上垂直氮化镓功率肖特基二极管的制备与表征。