Fac. of Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu, Japan 432-8561;
National Institute for Material Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan 305-0044;
Electron Tube Div., Hamamatsu Photonics K.K., 314-5 Shimokanzo, Iwata, Japan 4;
UV; photocathode; GaN; high quantum efficiency; Si substrate; low-cost;
机译:基于n(+)-GaN衬底中自由电荷载流子对红外光的强烈吸收,基于从衬底上进行n-GaN膜的激光剥离
机译:Si(111)基底上的质量增强GaN外延薄膜在三维GaN模板上沉积SIN
机译:超薄AlN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN膜的应变工程中的作用
机译:Si衬底上使用GaN膜的紫外光阴离子的研制
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:GaN离子切片和在CMOS兼容Si(100)衬底上异质集成高质量GaN膜的热力学研究
机译:通过退火GaN / ZnO薄膜在Si衬底上自组装GaN纳米棒,纳米粒子和纳米管的生长和性能
机译:GaN器件开发项目基板结构分析和薄膜生长输入的现状