包括在具有硼层的硅衬底上的场发射极阵列的光电阴极

摘要

一种光电阴极利用一体地形成于硅衬底上的场发射极阵列FEA来增强光电子发射，且利用直接安置在所述FEA的输出表面上的薄硼层来阻止氧化。所述场发射极是通过具有安置成二维周期性图案的各种形状(例如，角锥体或经修圆晶须)的突出部形成，且可经配置而以反向偏置模式操作。任选栅极层经提供以控制发射电流。任选第二硼层形成于经照射(顶部)表面上，且任选抗反射材料层形成于所述第二硼层上。在相对的所述经照射表面与所述输出表面之间产生任选外部电位。通过特殊掺杂方案且通过施加外部电位而形成n型硅场发射极与p‑i‑n光电二极管膜的任选组合。所述光电阴极形成传感器及检验系统的部分。