机译:双异质结晶格匹配和伪形InGaAs HEMT,具有通过LP-MOVPE生长的掺do InP供应层和p-InP势垒增强层
机译:具有通过低压金属有机化学气相沉积法生长的InP:Fe势垒增强层的超高速金属-半导体-金属InGaAs:Fe光电探测器
机译:使用/ spl delta /掺杂肖特基层降低InGaP / InGaAs掺杂沟道HFET中的源极和漏极电阻
机译:高速Ingaas / InP掺杂通道HFET的带有应变GA_0.2IN_0.8 GSMBE生长的肖特基障枕增强层
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高速开关应用的三层石墨烯纳米带肖特基势垒FET的分析模型
机译:高质量高度紧张的Ingaas量子孔在INP上生长(INAS)N(GaAs)0.25分数单层超晶格
机译:增强肖特基势垒InGaas / al(x)Ga(1-X)作为应变通道调制掺杂场效应晶体管的表征