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孙殿照; 王晓亮; 李晓兵; 国红熙; 阎春辉; 李建平; 朱世荣; 李灵霄; 曾一平; 孔梅影; 侯洵;
中国科学院半导体所;
中国科学院西安光机所;
InGaAs; 磷化铟; 超晶格材料; GSMBE生长;
机译:CBE生长的具有In InGaAs / InP超晶格基极-集电极结的高f / sub max / InP双异质结双极晶体管
机译:气体源MBE生长的具有渐变超晶格结构的InAlAs-InGaAs-InP MSM光电探测器的性能提高
机译:在GaAs衬底上生长的InGaAs / GaAs超晶格和InGaAs / AlAs超晶格中的杂质回旋共振
机译:InGaAsp / InP和Ingaas1 / Ingaasp2超晶格的界面和材料 - 质量研究
机译:用于多光谱红外检测和成像的基于II型锑化物的超晶格的理论设计和材料生长。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:InP上InGaAs表面结构修饰超晶格上均匀InAs量子点的生长
机译:alGaInas / Inp和InGaas-Inalas超晶格的mBE生长和性质研究。最终报告,1986年4月15日至1989年12月14日。
机译:InP衬底上的InAlAs / InGaAs两周期超晶格
机译:与InP匹配的InAlAs和InGaAs晶格的干法刻蚀
机译:干法刻蚀与InP匹配的InAlAs和InGaAs晶格的方法
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