机译:两步栅极凹陷过程结合了选择性湿法蚀刻和数字湿法蚀刻,用于Inalas / InGaAs基于INP的垫圈
机译:两步栅凹工艺,用于基于InAl的InAl基HEMT的选择性湿法刻蚀和数字湿法刻蚀
机译:通过基于柠檬酸的选择性湿法刻蚀增强了栅极凹入和侧壁凹入的AlGaAs / InGaAs PHEMT的特性
机译:两步GaAs / AlgaAs选择性干蚀刻工艺以控制垂直和侧向凹陷轮廓
机译:AlGaAs / GaAs半导体中光波导的垂直集成
机译:栅极定义的GaAs / AlGaAs横向量子点的纳米加工
机译:栅极长度短的GaAs / AlGaAs / InGaAs伪变形MODFET的选择性反应离子刻蚀
机译:ICl和IBr基化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第一部分:Gaas,Gasb和alGaas;等离子体化学和等离子体处理