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SiC溶液成長における成長中の溶液流れ切り替えによる結晶全面のステップフローの安定化

机译:通过在SiC溶液生长过程中切换溶液流来稳定整个晶体表面上的台阶流

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摘要

SiC溶液成長は,オフ角を設けた種結晶を用いてステップフロー 成長を行うことで欠陥変換が生じ,高品質の結晶が得られる[1].ステップフロー成長の安定化には溶液流れの制御が重要で あり,ステップフローと溶液流れの方向が同一であるとマクロステツプが発達し表面荒れを生じるのに対し,対向する場合は安定したステップフローとなることが報告されている[2].したがつ て,オフ角を設けた種結晶を用いて軸対称な流れの下で成長を行うとステップフローと溶液流れ の方向が同一である箇所が生じ,結晶全面でステップフロ一成長を安定化させることは困難であ る.そこで本研究では二種類の異なる溶液流れとなる条件を交互に切り替えて結晶成長を行うこ とで,結晶全面で安定したステップフロー成長を実現させることを目的とした.
机译:在SiC溶液生长中,通过使用具有偏角的籽晶进行阶梯流生长来发生缺陷转变,从而获得高质量的晶体[1]。控制溶液流动以稳定阶梯流的生长据报道,当阶跃流和溶液流的方向相同时,会出现宏观阶跃,并且会出现表面粗糙度,而当它们彼此面对时会出现稳定的阶跃流[2]。因此,当使用具有倾斜角的籽晶用于轴对称流动下的生长时,存在台阶流和溶液流方向相同的位置,并且台阶流在晶体的整个表面上稳定生长。因此,本研究的目的是通过交替切换两种不同溶液流的条件,在晶体的整个表面上实现稳定的逐步生长。做到了。

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