テクスチャガラス基板上EB 蒸着非晶質Si 膜のFLA での結晶化における製膜時の基板温度の影響

摘要

薄膜多結晶Si 太陽電池は、Si の使用量を低減でき、安価なガラス基板を使用できるため注目されている。フラッシュランプアニール(flash lamp annealing: FLA)は、Xe ランプからのパルス光照射による短時間加熱法であり、処理時間がミリ秒台であるため、耐熱性の低いガラス基板への熱損傷を低減しつつ、膜厚数μm のa-Si 膜の結晶化が可能である1)。電子線(electron-beam: EB)蒸着膜をFLA で結晶化することにより、数十μm 横方向に延伸した大粒径多結晶Si(poly-Si)の形成を確認している2)。今回我々は、反応性イオンエッチング(reactive ion etching: RIE)によりテクスチャ構造を形成したガラス基板上に、EB 蒸着により様々な基板温度でa-Si 膜を製膜し、FLA により結晶化を試みたので報告する。