IIS Univ. of Tokyo cjjin@nano.iis.u-tokyo.ac.jp;
IIS Univ. of Tokyo;
机译:栅电流和极化切换在金属铁电体HfZrO_2-金属-绝缘体-Si FET中低于60 mV /十年的陡峭亚阈值斜率中的作用
机译:GaN基负电容异质结场效应晶体管,具有& 30?MV / DEC亚阈值斜率,用于陡峭的切换操作
机译:正非线性电容:铁电FET中陡亚坡的起源
机译:偏振切换延迟瞬态负电容效果陡峭的亚阈值斜坡
机译:陡坡切换装置及其建模。
机译:正非线性电容:铁电FET中陡峭的亚阈值斜率的起因
机译:正非线性电容:铁电FET中陡亚坡的起源