The University of Utah.;
机译:具有AlGaN / GaN HEMT和基于氧化物的阈值开关装置的陡坡场效应晶体管
机译:兼容CMOS的低功率易失原子开关,用于陡峭FET器件
机译:通过空置诱导的渗透路径控制的具有金属离子运动控制的记录选择性(> 4×10〜(10))深入了解陡坡阈值切换(> 4×10〜(10)):杂交丝的量子水平控制
机译:基于NbO
机译:III-V和2D器件:从MOSFET到陡坡晶体管
机译:电阻开关器件中金属氧化物的薄膜沉积:锰矿薄膜中电阻开关的电极材料依赖性
机译:作者校正:是负电容FET A陡坡逻辑开关吗?