Mn ドープBiFeO3 薄膜のバルク光起電力効果と それによって発生する光誘起歪

摘要

バルク光起電力効果は半導体p-n 接合で発生する光起電力効果とはメカニズムが異なり、中心対称性を持たないバルク材料にコヒーレント光を照射することで発生する。その特徴として、バンドギャップを超える非常に高い開放端電圧(Voc)が発生することから、バルク光起電力効果は大変注目を集めている。我々はバルク光起電力効果と逆圧電効果のカップリングによって自身を歪ませる、光アクチュエータの実現を目指している。