MOVPE法で作製したInAs /GaSb超格子の中赤外発光特性の層厚依存性

摘要

波長2-10μmの中赤外帯域にはCO、 CO_2などの分子振動の吸収線が存在する。これを利用して ガスの選択的な検出や励起が可能となるため、半導体レーザゃ受光素子が期待されている。この 領域の検出素子のとしてInAs/GaSbタイプⅡ超格子(SL)が注目されている。これはミニバンドを 形成し、発光(吸収)波長をInAs層の厚さを変えることにより制御することができ、これにより3μm から32μmの広い波長範囲をカバーすることができる。しかしながら、有機金属気相成長 (MOVPE)を用いたヒ素とアンチモンのガス原料の混合を抑制するガスシーケンスは、十分に確立 されていない。今回は、それらの影響を知るためにMOVPE法により系統的にInAs/GaSb SL 構造を作製し、層厚の違いによる発光特性の変化を調査したので報告する。